创业十佳丨研制8英寸薄膜铌酸锂光子集成芯片 为AI算力打通“光之路”

  被誉为“光学硅”的薄膜铌酸锂，凭借更高的电光转换效率、更低的传输损耗和更宽的工作带宽，被公认为突破AI光互连带宽与功耗瓶颈的关键材料。

 “依托光谷世界领先的光电子产业生态，我们正积极推进TFLN光子集成芯片在AI超算数据中心、1.6T/3.2T高速光通信、光纤传感、量子信息等前沿场景的深度布局。”武汉六芯光电科技有限公司创始人兼CEO齐志勇介绍，公司研制出全球稀缺的基于8英寸晶圆的薄膜铌酸锂光子集成芯片，波导损耗低至0.2dB/cm、电光带宽超110GHz、消光比超30dB、波导良率达73.6%，多项核心指标全面领跑行业。

  六芯光电成立于2024年11月，位于武汉光谷，是一家专注于高端光子芯片研发与产业化的科技企业。齐志勇是华中科技大学光电系校友。公司依托华中科技大学武汉光电国家研究中心的科研积淀，携手孙军强教授团队，仅用一年半时间便从实验室走向产业前台。公司采取“设计在企业、制造在平台”的轻资产eIDM模式，攻克了低损耗光波导与高速率行波电极两大行业难题，与国内成熟流片平台深度合作，构建起从芯片设计到器件封测的完整技术闭环。